مطالعه نانو ساختار و ریخت شناسی لایه های نازک اکسید زیرکونیوم تهیه شده به روش بازپخت لایه های نازک زیرکونیوم

thesis
abstract

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دماهای بالاتر( 750-300 ) را نشان داد. همچنین5 نتایج xrd نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش اندازه بلورک ها می شود. از میکروسکوپ نیروی اتمی برای تحلیل ریخت شناسی سطح نمونه استفاده شد. افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش زمختی سطح و اندازه دانه ها گردید. بررسی خواص الکتریکی و مکانیکی نمونه ها همچنین نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت سبب افزایش مقاومت الکتریکی و کاهش سختی لایه ها می شود.

similar resources

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

full text

بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis  و AFM مورد مطالعه قرار گرفت.  نتایج الگوی XRD نشان داد که لایه­های نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونا...

full text

عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

full text

تهیه لایه های نازک سرامیکی به روش sol-gel

در این پژوهش دستیابی به تولید لایه های نازک سرامیکی با تکیه بر یک فناوری ساده موردنظر قرار گرفته و لایه نشانی sio2 به کمک فرایند نوین sol-gel بر روی زیرلایه هایی از جنس شیشه سودا ـ لایم انجام شده است. برای این منظور پس از آماده سازی نمونه ها و تهیه محلول sol ، عملیات لایه نشانی به روش غوطه وری در فواصل زمانی مختلف پس از ساخت محلول بر روی نمونه ها انجام شده و پس از خشک کردن، تحت عملیات پخت قرار ...

full text

ویژگی‌های ساختاری، ریخت‌شناسی و مغناطیسی لایه نازک فریت Co-Zn تهیه شده به روش اسپری پایرولیز

The structural, morphological and magnetic properties of Co0.5Zn0.5Fe2O4 nanoferrite thin films on glass substrates were investigated by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and vibrating sample magnetometer (VSM), respectively. These thin films were deposited by spray pyrolysis method and subsequently calcined at 500 and 600 ˚C. The XRD results reveal th...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023